2016年6月16日下午3：00，应我院高分子材料与工程研究所钟明强教授邀请，美国宾州州立大学陈龙庆教授来我院进行了学术交流，并在存中楼十楼报告厅作了题为“Phase-field modeling of ferroelectric domain structures and switching”的学术报告。

报告会上，陈龙庆教授首先介绍了在加载外应力场下，晶体相畴结构与反转的背景。紧接着分享了自己近期关于铁电畴转换特性的系列工作。材料研究发现基底约束可导致SrTiO3薄膜的室温铁电性，这种材料在不存在基底约束应力的情况下在室温是非铁电的。陈龙庆教授课题组通过微结构演化的相场方法和多尺度计算的模拟揭示，这是由于基底约束戏剧性地改变了体系的相图，甚至导致新相的生成。在此基础上，他们还将在铁电薄膜方面的工作拓展到了多铁体系及多层陶瓷薄膜，展示了材料微观结构的相场模拟对实验科学和发展新材料体系的重要指导作用。在整个报告中，陈教授讲述深入浅出，使在座师生受益匪浅。报告结束后，在座师生纷纷提问，陈教授一一解答，讲坛在师生们的热烈掌声中宣告圆满结束。

当天，还举行了陈龙庆教授受聘浙江工业大学客座教授的聘任仪式。学院院长王旭向陈龙庆教授颁发了客座教授聘书，并对其学术水平给予了高度评价，期望学院与陈龙庆教授有更深入的交流合作。

陈龙庆，美国宾州州立大学材料科学与工程系杰出教授，曾任材料系副主任。被聘为清华大学教授。先后分别在浙江大学、美国纽约州立大学石溪分校、美国麻省理工学院获得材料专业学士、硕士和博士学位，并在美国罗格斯大学从事博士后研究2年，其领导的研究团队在多种材料过程的相场模型建立和应用方面进行了开创性研究工作，主要研究方向是介观尺度和多尺度计算材料学、相场方法及数学模拟、铁电和多铁氧化物畴结构与反转、介电材料降解与击穿、固态氧化物燃料电池、锂离子电池，所提出的模型和算法被世界各地的许多研究组所采用。在材料微观组织演化的多尺度模拟等方面发表论文450余篇、合著书籍3部，应邀作邀请报告300余次。在Nature、Science及子刊Nature Physics、Phys.Rev.Lett.、Phys.Rev.B等杂志发表学术论文400多篇 (Web of Science: H-因子56; 总引用>12,000次; Google Scholar: H-因子68; 总引用 >17,000次) 。曾获美国*青年研究者奖、美国自然科学基金特别创造性奖、宾夕法尼亚州立大学优秀工程学者奖、Guggenheim Fellow、 ASM学会材料研究银奖，美国TMS功能材料分会杰出科学家奖。