11月4日上午，应我院先进材料研究中心叶长辉教授的邀请，中国科学院半导体研究所沈国震研究员（国家杰出青年基金获得者）做客我院至真讲坛，并为相关专业师生作了题为“基于低维半导体的柔性敏感器件与系统”的学术报告。

会上，沈国震研究员首先结合自身的研究领域，阐述了柔性电子技术和低维半导体纳米材料的相关研究进展。接着，就其课题组近年来在低维半导体纳米材料的柔性传感器领域取得的部分研究成果进行了介绍，阐述了如何设计和研制柔性光电探测器和柔性压力传感器。最后，介绍了在柔性传感器工作的基础上，通过引入柔性储能器件（柔性锂电池/超级电容器），在传感-储能一体化集成系统领域的研究进展。

报告结束后，沈国震研究员与参会师生进行了热烈的学术讨论和交流，报告会受到了在场师生的一致好评。

沈国震，1976年8月生。中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师，国家杰出青年基金获得者。1999年在安徽师范大学获学士学位，2003年在中国科学技术大学获得博士学位。2004年2月-2013年2月分别在韩国汉阳大学、日本国立材料研究所、美国南加州大学以及华中科技大学武汉光电国家实验室从事科研工作。2013年加入中科院半导体所超晶格国家重点实验室工作。长期从事低维半导体材料与相关柔性器件的研究工作，迄今在Chemical Society Reviews, Advanced Materials, Nano Letters等国际权威期刊发表SCI收录论文230余篇，所发表的文章被引用超过14000次，论文的H指数为66。主编柔性电子学等英文专著2部，获批/申请发明专利十余项。先后获国家杰出青年科学基金、教育部“新世纪优秀人才计划”、茅以升北京青年科技奖等荣誉。获北京市科学技术二等奖、中国材料研究学会科学技术一等奖等。现任英国皇家化学会会士、中国材料研究学会理事，以及学术期刊Nanoscale Research Letters（SCI收录）副主编、Journal of Semiconductors副主编等。