8月25日下午，应我院车声雷教授邀请，东京工业大学篠崎和夫教授和樱井修准教授在邵科馆会议室做了题为“Synthesis of Oxide Thin Films and Their Applications”的学术报告。

    篠崎和夫教授首先简要介绍了拥有130多年历史的东京工业大学及其材料教育与研究机构的框架与现状。篠崎教授详细介绍了其课题组采用PLD、CVD、CSD、PVD等方法，通过导入多个过渡层（Buffer Layer），克服Si基板与薄膜之间存在的晶体结构、晶格参数、化学键和热膨胀系数之间的差异，从而得以外延生长多种多样的氧化物功能薄膜的成果，并以PMN-PT、SrTiO_3、PZT、LSCO等薄膜为例，介绍了成膜工艺、结构解析、薄膜特性及其应用。篠崎·樱井团队“自制和改制独创的研究设备，得到独创性的研究成果”的传统和踏实严谨、不断创新的姿态给与会者留下了深刻的印象。

    篠崎和夫教授、樱井修准教授的此次来访是与磁电功能材料研究所之间开展的国际科技合作项目研究的例行互访。在杭期间两位教授与我院磁电功能材料团队开展了深入的交流，并互相通报了在AlN高导热材料研究方面的进展情况，就烧结机理等问题展开了热烈的讨论。

     篠崎和夫教授1981年获得东京工业大学博士学位后进入东芝公司综合研究所工作，是AlN陶瓷研究的先驱者之一。1987年篠崎博士回到东京工业大学无机材料工学科任教，先后任助教、助教授、准教授和教授，其间于1991-1992年到美国华盛顿大学做访问学者。篠崎教授长期从事功能陶瓷材料、粉体材料和无机薄膜材料的研究，发表研究论文300多篇，先后获得第54届日本陶瓷协会奖，Journal of the Ceramic Society of Japan最佳论文奖等多个研究奖项，并于2011年获得了Fulrath-Okazaki Commemoration Association颁发的电子陶瓷领域著名国际学术奖冈崎清奖（Kiyoshi Okazaki Award）。篠崎教授现任日本陶瓷协会运营委员长、电子材料部会副会长，东京工业大学教育改革委员会主查等职。