报告题目：相变存储技术与AI+材料

报 告 人：张伟 教授 西安交通大学材料学院

报告时间：2024年12月10日（周二）下午16：00

报告地点：浙江工业大学莫干山校区材料楼C306会议室

邀 请 人：材料成型与控制工程研究所 吴旻 副教授

报告人简介：

张伟，教育部长江学者特聘教授、西安交通大学材料科学与工程学院教授、材料创新设计中心主任。浙江大学物理系学士、硕士，德国亚琛工业大学物理系博士、博士后。在相变存储器的相变机制、材料设计与器件模拟等方面取得重要进展。在Science (3)、Nat Mater (3)、Nat. Electron. (2)、Nat. Rev. Mater.、Mater. Futures、《科学通报》等国内外主流学术期刊上发表论文90余篇，并参与撰写牛津大学主编的《相变材料光子计算》一书。作为会议召集人，举办中德电子与内存双边研讨会2次、美国MRS材料学会议相变存储研讨会2次，担任欧洲相变存储学会EPCOS委员会委员。

报告内容摘要：

近年来，全球范围内对数据存储与处理的需求急剧增长。非易失性存储器技术结合快速读写和非易失性功能的优势，可优化当前复杂的存储器层次结构，从而显着提高计算能力和能量效率。基于硫族相变材料PCM的相变存储器PCRAM已实现量产，并服务于数据中心等计算密集型产业。PCRAM利用PCM非晶态"0"和晶态"1"之间的电阻显著差异实现数据存储，而PCM在高温下的快速可逆相变以及其在室温下良好的热稳定性保证了 PCRAM的快速读写能力与良好的数据保持力。本次报告主要介绍AI+材料在相变存储领域的具体应用：如何利用机器学习与高性能计算等方式辅助PCRAM器件设计，如何通过高通量计算设计新材料进而突破PCRAM器件性能瓶颈，以及PCRAM在AI芯片发展方面面临的机遇与挑战。